霍爾效應是電磁效應的一種，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應�；魻栃�應廣泛應用于材料表征和磁場感應。

材料表征
在材料表征應用中，材料放置在已知的磁場 B 之中。同時，測量霍爾電壓 VXY（圖1）、通過樣本的電壓 VXX 和通過材料的電流 IR。根據這些測量值，我們可以推斷材料性質，例如載流子密度、載流子極性、載流子遷移率和材料的導電性。
       
這項技術還可用于測量量子霍爾效應以及整數、分數、自旋、逆自旋等多種衍生效應，從而測量二維電子氣 (2DEG) 材料的新物理性質。

磁場感應
當材料性質已知時，霍爾效應可用于推斷多個數量級范圍內的外部磁場強度�？梢酝ㄟ^向樣本施加直流電壓來執行測量，但是通常交流測量的速度更快、結果更準確。交流測量的其他優點還包括精度和靈敏度更高，能夠在更大的測量范圍內實現更高信噪比 (SNR)。
 

圖1.測量霍爾電壓結構圖

如圖1所示，測量需要使用兩個鎖相放大器。賽恩科儀OE1022D是一款雙通道鎖相放大器，擁有2個獨立同步的鎖放單元，一臺鎖相放大器就可以滿足測量需求。
    
（圖中表示為 LIA A通道）提供恒定交流電壓以使樣本中產生電流。通常情況下，只需放置一個遠大于電路中所有其他電阻之和的限流電阻 RL，即可假定電流在測量過程中保持恒定。測量通過樣本的電流，即可實現更精準的測量。鎖相放大器 1 測量霍爾電壓 VXY，而鎖相放大器 2（圖中表示為 LIA B通道）測量通過樣本的電壓 VXX。