從OJIP快速葉綠素熒光誘導動力學曲線上直接獲得的參數 | |
Ft |
暗適應后照光t時間時的熒光強度 |
F50μs 或F20μs |
用PEA在暗適應后照光50μs時或用Handy-PEA在暗適應后照光20μs時測定的熒光強度 |
F100μs |
在暗適應后照光100μs時的熒光強度 |
F300μs |
在暗適應后照光300μs時的熒光強度 |
FJ≡F2ms |
在O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)J點處(2ms)的熒光強度 |
FI≡F30ms |
在O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)I點處(30ms)的熒光強度 |
FP |
在O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)的最大熒光處(P點)的熒光強度 |
tFM |
從暗適應后照光到到達最大熒光所需時間 |
Area |
O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)、熒光強度F=FM及y軸之間的面積 |
從直接獲得參數導出的其它參數 | |
FO≌F50μs 或≌F20μs |
當所有反應中心完全開放時的熒光,即暗適應后的最小熒光強度 |
FM= FP |
當所有反應中心完全關閉時的熒光,即暗適應后的最大熒光強度 |
FV≡Ft - FO |
在t時的可變熒光強度 |
Vt≡(Ft - FO)/( FM - FO) |
在t時的相對可變熒光強度 |
VJ≡(FJ - FO)/( FM - FO) |
在J點的相對可變熒光強度 |
MO≡4(F300μs- FO)/( FM- FO) |
O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)的初始斜率 |
Sm≡(Area)/( FM- FO) |
標準化后的O-J-I-P熒光誘導曲線(圖1B)、熒光強度F=FM及y軸之間的面積 |
SS= VJ/MO |
用O-J相標準化的熒光上升互補面積 |
N≡Sm/ SS= Sm•MO•(1/ VJ) |
從開始照光到到達FM的時間段內QA被還原的次數 |
比活性參數(QA處在可還原態時,單位PSⅡ反應中心的活性) | |
ABS/RC= MO•(1/ VJ)•(1/φPo) |
單位反應中心吸收的光能 |
TRO/RC= MO•(1/ VJ) |
單位反應中心捕獲的用于還原QA的能量(在t=0時) |
ETO/RC= MO•(1/ VJ)•ψO |
單位反應中心捕獲的用于電子傳遞的能量(在t=0時) |
DIO/RC= (ABS/RC)- (TRO/RC) |
單位反應中心耗散掉的能量(在t=0時) |
量子產額或能量分配比率 | |
φPo≡TRO/ABS= [ 1-(FO/FM)] |
最大光化學效率(在t=0時) |
ψO≡ETO/TRO= (1-VJ) |
反應中心捕獲的激子中用來推動電子傳遞到電子傳遞鏈中超過QA的其它電子受體的激子占用來推動QA還原激子的比率(在t=0時) |
φEo≡ETO/ABS= [1-(FO/FM)]•ψO |
用于電子傳遞的量子產額(在t=0時) |
φDo≡1-φPo = (FO/FM) |
用于熱耗散的量子比率(在t=0時) |
比活性參數(照光材料單位橫截面積的活性) | |
ABS/CSO≈FO |
單位面積吸收的光能(在t=0時) |
ABS/CSM≈FM |
單位面積吸收的光能(在t=tFM時) |
TRO/CSO= φPo•(ABS/CSO)
TRO/CSM= φPo•(ABS/CSM) |
單位面積捕獲的光能(在t=0時)
單位面積捕獲的光能(在t=tFM時) |
ETO/CSO= φEo•(ABS/CSO)
ETO/CSM= φEo•(ABS/CSM) |
單位面積電子傳遞的量子產額(在t=0時)
單位面積電子傳遞的量子產額(在t=tFM時) |
DIO/CSO= (ABS/CSO) - (TRO/CSO)
DIO/CSM= (ABS/CSM) - (TRO/CSM) |
單位面積的熱耗散(在t=0時)
單位面積的熱耗散(在t=tFM時) |
反應中心的密度 | |
RC/CSO= φPo•(VJ/MO)•(ABS/CSO)
RC/CSM= φPo•(VJ/MO)•(ABS/CSM) |
單位面積內反應中心的數量(在t=0時)
單位面積內反應中心的數量(在t=tFM時) |
性能指數 | |
PIABS≡(RC/ABS)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)] |
以吸收光能為基礎的性能指數 |
PICS≡(RC/CSO)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)]
PICS≡(RC/CSM)•[φPo/(1-φPo)]•[ψO/(1-ψO)] |
以單位面積為基礎的性能指數(在t=0時)
以單位面積為基礎的性能指數(在t=tFM時) |
推動力(性能指數的對數) | |
DFABS≡log(PIABS) |
以吸收光能為基礎的推動力 |
DFCS≡log(PICS) |
以單位材料面積為基礎的推動力 |